近日,三星正式宣布开始量产第五代 V-NAND 储存芯片。

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据介绍,三星第五代 V-NAND 内存芯片采用了 96 层堆叠设计,其也是业内第一个采用 Toggle DDR 4.0 接口的产品,通过此接口传输数据的速度高达 1.4Gbps,比上代产品提高了 40%。同时,其写入速度达到 500 微秒,比上一代提高了约 30%,读取数据的响应时间也减少到 50 微秒。

此外,第五代 V-NAND 内存芯片配备了 90 层的 3D CTF Cell 单元,成为市面上堆叠层数最高的 3D NAND TLC 架构内存芯片。

三星表示,会率先打造与自家消费类 SSD 所使用尺寸相同的单模 256GB V-NAND 闪存芯片,并且计划未来推出基于第五代 V-NAND 的 1TB 的 QLC 产品。
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